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大对图7.Cu/pEGDMA/ITO存储器件结构和性能(a)Cu/pEGDMA/ITO存储器件的截面TEM图像。本行(f和g)PAM-3的I-V特性和开关耐久性。
与无机存储器件相比，业本应用有机存储器件的稳定性容易受到环境湿度和氧气的影响。
近日，领域来自中科院宁波材料所刘钢研究员和李润伟研究员（共同通讯）在ChemicalSocietyReviews上发表综述文章，领域题为：Organicandhybridresistiveswitchingmaterialsanddevices。保持它们整体结晶序列的分层多孔结构的构建在理论上是可取的，进行因为高度有序的结构反过来可以显著改善性能。
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这篇文章特点是表明了金属表面缺陷对于催化活性的巨大影响，支持也提出了一种通过刻蚀法制备金属纳米线的新方法。特别的是，信息合成方案对双金属NPs的结构、电子以及催化性能至关重要。
